半导体技术天地

【半导体技术天地】聚焦芯片制造核心环节，FinFET工艺正向3nm节点推进量产进程，环绕栅极晶体管（GAA）技术突破带来20%能效提升。第三代半导体材料中，碳化硅衬底缺陷率已降至0.3 defects/cm²，适配高压快充场景；氮化镓射频器件在5G基站实现98%能量转换效率。极紫外光刻机实现0.33 NA数值孔径突破，单日晶圆吞吐量达3000片。异构集成技术推动芯片堆叠层数突破16层，TSV互连密度提升至10^8/cm²量级。